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Samsung SSD 990 EVO Plus M.2 PCIe NVMe 1 To
SSD 1 To M.2 2280 NVMe 2.0 - PCIe 5.0 x2/PCIe 4.0 x4
Accélérez votre PC avec des chargements plus courts et des transferts express
Le Samsung SSD 990 EVO Plus 1 To apporte un gain immédiat au quotidien : démarrages plus rapides, applications plus réactives et copies de gros fichiers nettement raccourcies. En jeu, vous profitez de temps de chargement réduits pour enchaîner les sessions sans attendre. Son format M.2 2280 s’intègre facilement dans de nombreuses configurations, pour moderniser un PC portable ou une tour.
Pensé pour les plateformes récentes, ce SSD NVMe s’appuie sur une connectique flexible PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 afin de s’adapter à votre carte mère. Lors d’un montage vidéo, d’une bibliothèque photo ou de projets créatifs lourds, vous bénéficiez de vitesses séquentielles élevées (jusqu’à 7 250 Mo/s en lecture, selon modèle) pour manipuler vos contenus avec plus de fluidité.
Avec la technologie Intelligent TurboWrite 2.0, les écritures gagnent en efficacité sur les tâches volumineuses, idéale quand vous déplacez de gros dossiers ou installez plusieurs jeux. Le logiciel Samsung Magician complète l’ensemble : optimisation, migration de données, suivi de l’état du disque et mises à jour du micrologiciel pour garder votre stockage performant et bien maîtrisé au fil du temps.
Caractéristiques principales :
- Modèle : Samsung SSD 990 EVO Plus
- Capacité : 1 To
- Format : M.2 2280
- Interface : NVMe 2.0
- Bus : PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4
- Lecture séquentielle : jusqu’à 7 250 Mo/s (selon modèle)
- Technologie : Intelligent TurboWrite 2.0
- Logiciel : Samsung Magician (optimisation, migration, monitoring)
- Efficacité énergétique : améliorée jusqu’à 73 % par watt vs modèle précédent
Informations générales |
Désignation |
Samsung SSD 990 EVO Plus M.2 PCIe NVMe 1 To |
Marque |
Samsung | |
Modèle |
MZ-V9S1T0BW | |
Principales caractéristiques |
Interface avec l'ordinateur |
M.2 - PCI-E 4.0 4x |
| M.2 - PCI-E 5.0 2x | ||
Format M.2 |
M.2 2280 | |
Format de Disque |
M.2 | |
Capacité |
1 To | |
Type de mémoire Flash |
TLC (Triple-Level Cell) | |
Dissipateur thermique |
Non | |
NVMe |
Oui | |
Compatible PS5 |
Non | |
Performances |
Endurance |
600 ToE |
Compatible TRIM |
Oui | |
IOPS en lecture |
850000 | |
IOPS en écriture |
1350000 | |
Vitesse en écriture |
6300 Mo/s | |
Vitesse en lecture |
7150 Mo/s | |
Caractéristiques physiques |
Hauteur |
2.38 mm |
Largeur |
22.15 mm | |
Profondeur |
80.15 mm | |
Garanties |
Garantie légale |
Voir les modalités
|
Information sur la sécurité |
Personne responsable |
Samsung Electronics |
Adresse postale |
Samsung Electronics, PO Box 12987, Dublin. IE |











































