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Samsung 990 PRO NVMe M.2 PCIe 4.0 1 To

SSD interne - MZ-V9P1T0BW - 7450 Mo/s - 1To

6 avis clients
Capacité :
1024 Go
Dissipateur thermique :
Non

Accélérez chaque lancement et vos transferts, sans compromis

Avec le Samsung SSD 990 PRO 1 To, donnez un nouveau souffle à votre PC ou à votre station de création. Son format M.2 2280 s’intègre facilement dans de nombreuses configurations pour réduire drastiquement les temps de chargement. Au quotidien, vous lancez vos jeux, applications et projets lourds avec une réactivité immédiate, idéale pour un usage intensif et polyvalent.

Conçu pour exploiter l’interface PCIe 4.0 x4 et le protocole NVMe 2.0, le 990 PRO vise des transferts rapides et stables, tout en restant rétrocompatible PCIe 3.0. Que vous déplaciez de gros fichiers vidéo, installiez une bibliothèque de jeux ou gériez de multiples assets créatifs, vous profitez d’un flux de travail plus fluide, avec des vitesses annoncées jusqu’à 7450 Mo/s en lecture et 6900 Mo/s en écriture.

Pour conserver un SSD performant dans le temps, Samsung intègre de la V-NAND 3-bit MLC et 1 Go de cache LPDDR4 afin d’optimiser les échanges. Avec Samsung Magician, vous gardez la main : surveillance de l’état du disque, optimisation, protection des données importantes et mises à jour. Une solution simple pour gagner en sérénité, que vous jouiez, créiez ou travailliez au quotidien.

Caractéristiques principales :

  • Modèle : Samsung SSD 990 PRO
  • Capacité : 1 To
  • Format : M.2 2280
  • Interface : PCIe 4.0 x4
  • Protocole : NVMe 2.0
  • Rétrocompatibilité : PCIe 3.0
  • Lecture séquentielle : jusqu’à 7450 Mo/s
  • Écriture séquentielle : jusqu’à 6900 Mo/s
  • Mémoire NAND : Samsung V-NAND 3-bit MLC
  • Cache : 1 Go LPDDR4

Informations générales

Désignation

Samsung 990 PRO NVMe M.2 PCIe 4.0 1 To

Marque

Samsung

Modèle

MZ-V9P1T0BW

Stockage

Type de mémoire SSD

Interne

Principales caractéristiques

Interface avec l'ordinateur

M.2 - PCI-E 4.0 4x

Format M.2

M.2 2280

Format de Disque

M.2

Capacité

1 To

Type de mémoire Flash

TLC (Triple-Level Cell)

Dissipateur thermique

Non

NVMe

Oui

Taille du cache

1 Go

Compatible PS5

Oui

Performances

Endurance

600 ToE

Compatible TRIM

Oui

IOPS en lecture

1200000

IOPS en écriture

1550000

Vitesse en écriture

6900 Mo/s

Vitesse en lecture

7450 Mo/s

Caractéristiques physiques

Hauteur

2.38 mm

Largeur

22 mm

Profondeur

80 mm

Garanties

Garantie commerciale

5 ans constructeur

Garantie légale

Information sur la sécurité

Personne responsable

Samsung

Adresse postale

PO Box 12987 – Dublin - Ireland

Adresse électronique

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